近日，清华大学的一个新的EUV光源方案——SSMB-EUV光源引起了广泛关注。这个方案独具创意，采用一个环形跑道，总长200米，宽度20米，功率高达10千瓦，是ASML EUV光源250瓦功率的40倍，能够支持数十台光刻机同时使用。这意味着国内可能会出现一个大型的EUV光刻机工厂，令人非常期待。
与ASML的小型化光源相比，SSMB-EUV光源具有天然优势。以外观尺寸而言，SSMB-EUV光源不需要考虑运输和销售等因素，可以更加注重其性能，从而达到更好的效果。另外，其功率也远远超过ASML EUV光源，甚至被形象地形容为“由步枪变成了机关枪”，使得其能够同时支持数十台光刻机的使用。
从技术实现来看，SSMB-EUV光源利用高重频微波电子枪产生一串电子束，然后在一段直线加速腔中对电子束进行加速，此时电子束是脉冲分布的。接下来，将电子束团注入到展束环中进行纵向拉伸，使电流分布均匀，得到在纵向上均匀分布的准连续束团。最后，将该束团从展束环引出，注入到SSMB主环中进行储存，在主环中，激光调制器会对束团进行聚束作用，并在量子激发和辐射阻尼平衡下保持微聚束状态。最终，该微聚束在辐射段被进一步压缩到3nm左右，实现波长13.5nm的强相干辐射，从而输出千瓦量级的EUV光。
从以上内容可以看出，清华大学的SSMB-EUV光源具有非常高的技术含量，其成果不仅将为国内EUV光刻机的发展提供有力支撑，同时也将带动整个产业链的升级。可以预见，该光源的应用将推动我国的半导体技术实现跨越式发展，进一步提高我国在半导体领域的地位和竞争力，也将为我国科技创新做出重要贡献。
