可控硅和双向可控硅主要有两点区别
一、结构不同
1、可控硅：
具有三个PN结的四层结构，由最外层的P层、N层引出两个电极――阳极A和阴极K，由中间的P层引出控制极G。
2、双向可控硅：
有两个主电极T1和T2，一个门极G，门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。
二、特点不同
1、可控硅：
先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。
若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。
2、双向可控硅：
双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示额定电流值。
由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。
双向可控硅相（又称双向晶闸管）当于两个单向可控硅反向并联，原则上是可以控制直流的。
但是由于导通后直流信号一直存在，而可控硅无法过零关断，因此这种控制其实是与使用单向可控硅一样的，只能控开，无法直接控关。
近代随着半导体技术的发展，出现了可关断式晶闸管，这种器件就可以实现直接对直流的控制。
当可关断晶闸管控制端加正向电压时控制晶闸管导通，而加反向电压时又可以控制晶闸管关断。
因为可控硅外加触发信号，双向可控硅导通。
但是在220V交流电过零点时，且无外加触发信号时，会自动关断。
若不在零点触发让可控硅导通，在其它点时触发会有电压，电流冲击的考虑。
在交流电过零点时导通免除了电流和电压的冲击，对可控硅的使用寿命有很好的保护作用。
1.开关触发：
当电压达到一定的阈值时，硅就会从一个状态转换到另一个状态，从而改变电路的状态。
2.时间触发：
当电压达到一定的阈值时，硅会在一定的时间内保持一个状态，然后再转换到另一个状态，从而改变电路的状态。
3.电流触发：
当电流达到一定的阈值时，硅会从一个状态转换到另一个状态，从而改变电路的状态。
4.温度触发：
当温度达到一定的阈值时，硅会从一个状态转换到另一个状态，从而改变电路的状态。
双向可控硅是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，是在普通可控硅的基础上发展而成的交流开关器件，其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意，发明于1957年。
双向可控硅为单向导电性开关，能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路。
可控硅具有导通和关断两种状态，从外形上区分主要有：
螺栓形、平板形和平底形三类。
区别很大。
最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0,然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。
MOS是高阻抗的控制元件，G可以控制DS的电流大小
可控硅是开关元件，分为单向可控硅和双向可控硅两种。
他不能够控制电流的大小，只能够控制开关。
mos管与场效应管是一个概念。
mos管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。
可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。
mos管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10v左右。
MOS是高阻抗的控制元件，G可以控制DS的电流大小
可控硅是开关元件，分为单向可控硅和双向可控硅两种。
他不能够控制电流的大小，只能够控制开关。
